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- [发明专利]存储器装置-CN202210257124.2在审
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金宗佑;辛泳哲
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爱思开海力士有限公司
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2022-03-16
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2023-02-17
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G11C16/34
- 本申请涉及存储器装置。本文提供了一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行用于将数据存储在多个存储器单元中的被选存储器单元中的编程操作；以及控制逻辑电路，其被配置为控制所述外围电路形成分别对应于目标编程状态的阈值电压分布，所述目标编程状态对应于要存储在被选存储器单元中的数据，其中，当针对被选存储器单元的目标编程状态中的任何一种的预验证操作已通过时，控制逻辑电路控制外围电路执行针对目标编程状态中的所述任何一种的主验证操作
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN202011031239.7在审
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林菜昱;鲜于桢;李光振
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三星电子株式会社
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2020-09-27
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2021-04-23
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G11C13/00
- 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关元件和具有相变材料的数据存储元件，并且每个存储器单元连接到多条字线中的一条字线和多条位线中的一条位线；解码器电路，被配置为将所述多个存储器单元中的至少一个确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为：将编程电流输入到被选存储器单元以执行编程操作，检测被选存储器单元的保持电压，并且基于检测的保持电压调节编程电流的大小。当被选存储器单元两端的电压低于保持电压时，被选存储器单元截止。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN200510104053.9无效
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佐藤知稔
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夏普株式会社
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2005-09-14
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2006-05-03
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G11C11/401
- 第1存储器芯片(10a～10d)具有作为用来存储数据的存储单元的存储器单元，但不具有作为用来补救存储单元的错误位的冗余存储单元的冗余存储器单元。进一步，只具有最低限度的逻辑器，以便利用第2存储器芯片的控制逻辑器进行工作。第2存储器芯片(20)既具有进行存储器单元和冗余存储器单元等存储器控制的控制逻辑器，也具有用来补救第1存储器芯片(10a～10d)的错误位的冗余存储器单元。存储器装置1将第1存储器芯片和第2存储器芯片层叠而构成。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN202310097230.3在审
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辛弦燮;郭东勋
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爱思开海力士有限公司
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2023-02-08
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2023-09-22
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G11C16/34
- 一种存储器装置包括多个存储器单元，每个存储器单元被配置为根据其内所存储的数据而处于擦除状态或者多个编程状态之一。存储器装置还包括外围电路，外围电路被配置为在对多个存储器单元的编程操作中，对第一存储器单元执行第一编程电压施加操作，第一存储器单元要被编程到第一相应编程状态。外围电路还被配置为在第一编程电压施加操作之后，对第二存储器单元执行预编程电压施加操作，第二存储器单元要被编程到第二相应编程状态。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN201910660657.3有效
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陈忱;司强
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上海兆芯集成电路有限公司
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2019-07-22
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2021-08-24
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G11C11/406
- 本发明提供一种存储器装置，该装置包括：存储器控制单元及写输出时钟装置。存储器控制单元用以提供写输入时钟及第一控制值。写输出时钟装置依据写输入时钟产生多个内部时钟，且依据存储器控制单元的控制，从该等内部时钟中选择目标内部时钟，再依据第一控制值加以延迟后，作为写输出时钟至存储器单元。存储器单元依据写输出时钟产生数据信号。存储器控制单元接收数据信号以判断写输出时钟是否符合存储器单元运作的时序需求。若判断为不符合时序需求，存储器控制单元改变第一控制值和/或改变所选择的目标内部时钟，进而改变写输出时钟。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN200810087341.1有效
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郭玉兰;李俊毅;张坤龙;洪俊雄
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旺宏电子股份有限公司
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2008-03-21
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2009-04-01
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G11C16/22
- 本发明公开了一种存储器装置，包括一存储器阵列，一状态缓存器以及一安全缓存器。存储器阵列具有多个存储器区域，各存储器区域是独立进行存取控制的。状态缓存器耦接至存储器阵列，状态缓存器包括至少一保护位用以指示对应保护位的此些存储器区域至少其中之一的一写入保护状态。安全缓存器耦接至存储器阵列与状态缓存器，安全缓存器包括至少一缓存器保护位，至少一缓存器保护位是可编程为一存储保护状态，以防止状态缓存器的至少一保护位的状态改变。存储器装置复位之前，缓存器保护位将持续维持于存储保护状态。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN202210440198.X在审
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曹成奎
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三星电子株式会社
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2022-04-25
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2022-11-04
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G11C8/08
- 提供了存储器装置。所述存储器装置包括：单元区域，包括多条字线、多条位线以及连接到设置在其中的所述多条字线和所述多条位线的多个存储器单元，其中，所述多个存储器单元中的每个包括在相应字线与相应位线之间彼此串联连接的开关元件和存储器元件；以及外围电路区域，包括控制逻辑，控制逻辑被配置为：在针对所述多个存储器单元之中的选择的存储器单元的读取命令从外部控制器被接收到时，在读取选择的存储器单元的数据之前将预电压输入到选择的存储器单元。控制逻辑被配置为：参照对选择的存储器单元进行编程之后经过的时间，确定预电压的电平。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN202110041068.4在审
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任都英
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三星电子株式会社
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2021-01-13
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2021-08-17
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G11C7/12
- 提供了存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括连接到字线和位线的存储器单元。每个存储器单元包括开关元件和存储器元件，并且具有阈值电压在第一电压范围内的第一状态或阈值电压在比第一电压范围低的第二电压范围内的第二状态。存储器控制器被配置为：使用比第一电压范围的中值高的第一读取电压对存储器单元执行第一读取操作，将在第一读取操作期间截止的第一缺陷存储器单元编程到第一状态，使用比第二电压范围的中值低的第二读取电压对存储器单元执行第二读取操作，并且对在第二读取操作期间导通的第二缺陷存储器单元执行修复操作。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN201710003711.8有效
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林继正
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华邦电子股份有限公司
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2017-01-04
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2019-09-17
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G11C7/10
- 一种存储器装置，包括多个引脚及多个存储器管芯。各个存储器管芯耦接这些引脚，并且各个存储器管芯包括匹配电路及核心电路。于上电的过程中，依据数据脚位或控制脚位的电压准位，匹配电路可自动选择所要启动的存储器管芯。当核心致能信号致能时，核心电路进行运作，当核心致能信号禁能时，核心电路停止运作。当这些存储器管芯的其中之一的核心电路进行运作时，其余的存储器管芯的核心电路为停止运作。本发明提供的存储器装置，可依据数据脚位或控制脚位的电压电平自动选择所要启动的存储器管芯，因此不用增加选择管芯用的引脚，以降低存储器装置的硬件成本。
- 存储器装置
- [发明专利]存储器装置-CN201911079581.1在审
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徐文植
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爱思开海力士有限公司
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2019-11-07
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2021-02-02
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G11C7/24
- 一种存储器装置包括具有多个存储器串的存储器单元阵列，并且包括电压生成电路，电压生成电路被配置为在读取操作期间生成并且向存储器单元阵列施加多个漏极选择线电压、多个源极选择线电压和读取电压。存储器装置还包括控制逻辑，控制逻辑被配置为控制电压生成电路，以在读取操作期间生成施加到多个存储器串之中的未选择存储器串之中的第一未选择存储器串的第一漏极选择线电压和施加到未选择存储器串之中的第二未选择存储器串的第二漏极选择线电压
- 存储器装置
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